Японські та американські компанії об'єдналися для створення оперативної пам'яті нового покоління

Американські і японські компанії спільно зайнялися проектом, який дозволить у комерційному масштабі виробляти принципово нову оперативну пам'ять для електронних пристроїв наступного покоління.

В альянс із 20 компаній увійшли такі великі гравці як Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi, та Micron Technology. Вони хочуть замінити динамічну пам'ять із довільним доступом (DRAM), використовувану зараз, на так звану MRAM ( Магніторезистивну пам'ять із довільним доступом).

Ця технологія розробляється ще від дев'яностих років минулого століття. MRAM заснована на зберіганні інформації за допомогою магнітних моментів, а не електричних зарядів. Це дозволяє домогтися десятикратного прискорення роботи за десятикратного збільшення обсягу збережених даних водночас різко знижуючи енергоспоживання. Японське видання Nikkei зазначає, що, як обіцяють дослідники, плати MRAM будуть споживати у три рази менше електрики.

Головним завданням проекту стане розробка технологій для масового виробництва таких компонентів, завершити її дослідники мають намір до 2018 року.

Примітно, що компанія Everspin Technologies уже виробляє MRAM-плати. Зараз вона починає реальні поставки і може завоювати лідерство на ринку, якщо їй вдасться запропонувати такі компоненти в комерційних обсягах раніше, ніж американсько-японський консорціум отримає результати.

Раніше повідомлялося, що вчені пропонують суттєво збільшити щільність зберігання даних на жорстких дисках за рахунок використання сплаву заліза і платини.