Учені навчилися стимулювати довготривалу пам'ять

У дослідженні взяли участь 12 осіб, які страждають на епілепсію.

Учені представили докази можливого створення імплантатів, здатних стимулювати довготривалу пам'ять, повідомляє Nature.

Дослідження проводилося на замовлення Агентства перспективних оборонних розробок (DARPA) міністерства оборони США. Його результати були представлені на конференції Товариства нейробіологів в Чикаго.

За переведення короткочасної пам'яті в довготривалу відповідає гіпокамп - парна структура головного мозку, розташована в медіальних скроневих відділах обох півкуль.

Вона ж відповідає і за формування короткочасної пам'яті на основі сенсорної інформації і сприйняття людиною часу і простору.

Дослідники з'ясували, що під час консолідації пам'яті (переведення короткочасної пам'яті в довготривалу) виникає сигнал, що проходить від ділянки CA3 гіпокампа в CA1.

Вчені пов'язали глобальне потепління з народжуваністю

Імітація цього сигналу дозволить стимулювати довготривалу пам'ять, зокрема, у людей похилого віку і тих, хто має травму голови.

У дослідженні взяли участь 12 осіб, які страждають на епілепсію. До них приєднували мозкові електроди для запису електроенцефалограми мозку і стимуляції окремих його зон.

Учасникам експерименту показували різні зображення, а через 1,5 хв. просили згадати, які з них вони бачили.

Під час показу зображень учені записували сигнали, що проходять між зонами CA3 і CA1.

На основі одержаних даних учені розробили алгоритм, здатний передбачати за активністю зони CA1 вид сигналу, який повинен прийти із CA3. У 80% випадків передбачуваний дослідниками сигнал виявлявся влучним.

Утім, за словами учених, ця сфера вимагає подальшого ретельного вивчення і додаткових експериментів, тому говорити про результати поки рано.

Після проведення ще одного етапу тестів дослідники планують розробити перший зразок приладу, що стимулюватиме зони гіпокампу, відповідальні за консолідацію пам'яті.

Вчені створили надшвидкі ліки від гепатиту С

Тим часом є така думка, що однієї лише імітації сигналу, що проходить між CA3 і CA1, може бути недостатньо для стимуляції довготривалої пам'яті в тому випадку, коли ушкоджено клітини зони CA1.

Це питання вивчається на замовлення DARPA в Університеті Південної Каліфорнії в Лос-Анджелесі. Роботи ведуться над проектним створенням приладів, здатних стимулювати пам'ять солдатів з ушкодженими головами.

Програма DARPA зі створення імплантатів, що стимулюватимуть довготривалу пам'ять, стартувала в лютому 2014 року.

У ній беруть участь дві групи дослідників. Університет Південної Каліфорнії одержав на проведення робіт 15 млн доларів, а Університет Пенсільванії - 22,5 млн доларів.

Тим часом в липні учені розповіли про згубний вплив смартфонів на пам'ять людини.