Фото: Социальные сети
Samsung представила потужний 10-нанометровий процесор
Exynos 9 Series 8895 створений на основі 10-нанометрового техпроцесу FinFET.
Компанія Samsung представила свій найпотужніший флагманський процесор Exynos 9 Series 8895, який створений на основі 10-нанометрового техпроцесу FinFET з транзисторною 3D-структурою, передає PhoneArena.
Відомо, що технологія, використана в процесорі південнокорейського виробника, задіяна в іншому топовому процесорі - Snapdragon 835 від Qualcomm, який також розроблявся за участю Samsung.
Передбачається, що саме Exynos 9 Series 8895 ліг в основу лінійки флагманських смартфонів компанії - Galaxy S8, презентація яких очікується в квітні цього року.
Повідомляється, що процесор дозволяє завантажувати дані зі швидкістю 1 Гбіт/с, а передачу в мережу - на швидкості до 150 Мбіт/с. Крім того, новинка першою, за словами виробника, отримала гігабітний LTE-модем з агрегацією п'яти несучих.
Процесор Exynos 9 Series 8895 повинен забезпечити продуктивність, на 27 відсотків вищу в порівнянні з попередником, при цьому витрачаючи на 40 відсотків менше енергії.
Раніше повідомлялося, що в Мережі були оприлюднені характеристики майбутнього флагманського смартфона Samsung Galaxy S8.
Galaxy S8 Plus: "витекли" подробиці про фаблет